“納米壓印技術(shù)”展示了通過(guò)在溫度和壓力控制的印刷過(guò)程中使熱塑性材料物理變形來(lái)執(zhí)行低于100 nm平行光刻的能力 。使用通過(guò)電子束光刻和干刻蝕圖案化的硅壓模來(lái)實(shí)現(xiàn)。這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于，可使用具有納米圖案的硅“母版”，進(jìn)行成千上萬(wàn)次復(fù)制，從而降低成本并提高產(chǎn)量，用于半導(dǎo)體工藝中的開(kāi)發(fā)個(gè)研究。
包含的技術(shù)：熱壓印、uv紫外壓印、微米結(jié)構(gòu)壓?。?micro;cp）、卷對(duì)卷壓印和注塑成型等。
典型的基材材料：硅，熔融石英，iii-v材料和聚合物材料等。
典型的壓印聚合物：pmma，coc，cop，pc和pet等。
下面我們來(lái)具體介紹關(guān)于微透鏡陣列的應(yīng)用案例：
微透鏡陣列microlens arrays
微透鏡陣列（mlas）是用于光學(xué)應(yīng)用的小型、亞毫米級(jí)透鏡陣列，例如ccd陣列上的光收集，光學(xué)顯微鏡，光場(chǎng)相機(jī)，3d成像和顯示器，光學(xué)傳感器和lidar系統(tǒng)等。
設(shè)計(jì)和制造高品質(zhì)的微透鏡陣列（mlas），我們擁有各種具有凹形或凸形mlas的母版，可用于通過(guò)熱壓花，uv復(fù)制或注塑成型來(lái)制作聚合物微透鏡陣列?？墒褂么丝钚⌒团_(tái)式cni v3.0納米壓印系統(tǒng)來(lái)制作。
cni v3.0納米壓印系統(tǒng)
提供一維和二維數(shù)組。還提供六邊形和方形配置，以及隨機(jī)配置的透鏡配置，球形或非球形透鏡形狀，密排透鏡或透鏡之間有間隙。
母版提供熔融石英和鎳。鏡片的深度/高度和鏡片寬度可以獨(dú)立控制，可在印章上實(shí)現(xiàn)任何拋物線形鏡片形狀。也可提供帶有凸透鏡和凹透鏡陣列的聚合物復(fù)制品。
透鏡直徑范圍為1.3 µm至20 µm，sag高度范圍為0.12 µm至5.5 µm。標(biāo)準(zhǔn)mlas上的有效區(qū)域范圍為5毫米 x 5毫米至100毫米 x 100毫米，可帶有或不帶有防粘涂層。
自定義微透鏡陣列（mlas）規(guī)格：

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常見(jiàn)工作電壓范圍，主要標(biāo)稱的為下面五個(gè)范圍：如100-277Vac/120-277Vac 100-240Vac,220-240Vac,277-480Vac
MC方案｜如何設(shè)計(jì)制作微透鏡陣列？
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